638 руб.
Под заказ 5-7 дней
- 1 модуль памяти DDR3
- Объем модуля 4 ГБ
- Форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- Частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Читать полностью
Буферизация | Небуферизированная (Unbuffered) |
Количество планок | 1 |
Назначение | Для ноутбуков |
Напряжение питания | 1.5 В |
Объем памяти | 4 ГБ |
Проверка и коррекция ошибок (ECC) | Нет (non-ECC) |
Схема таймингов памяти | CL11 |
Тип памяти | SODIMM DDR3 |
Частота памяти | 1600 МГц |
Эффективная пропускная способность | 12800 Мб/с |
Гарантия | 36 месяцев |